NAND Flash产品可以分为三大架构，分别是单层式储存 (Single Level Cell;SLC)，包括三星电子、Hynix、美光(Micron)以及东芝都是此技术使用者，第二种则是多层式储存(Multi Level Cell;MLC)，目前有东芝、Renesas使用，不过三星电子将在2005第四季推出相关产品，最后则是英飞凌(Infineon)与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存(Multi Bit Cell;MBC)。 今天我们只谈SLC和MLC。
MLC是英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功的，通过精确控制Floating Gat上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数值(从00到11)。
也就是说SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构可以有比较好的储存密度，再加上可利用比较老旧的生产程备来提高产品的容量，而无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。
不过MLC架构有着缺点，首先是使用寿命较短，MLC架构只能承受约1万次的存取，远低于SLC架构的10万次。其次就是存取速度，SLC架构比MLC架构要快速三倍以上，加上MLC架构对于电力的消耗较多。
看来好像MLC不能使用了至少不成熟，而事事有个万一。因为现在三星在大批量生产MLC芯片，而三星又出品ARM主控芯片，所以相对其他的MP3主控芯片三星的主控芯片和三星MLC芯片的兼容相就更好。使用其他MLC芯片的MP3由于兼容性的问题有时就会出现读写速度慢，有闪存坏块等问题。
可以说MLC无论是在成本上考虑还是在容量发展上考虑都是很好的发展方向，而现在需要做的是完善这个技术，更好的利用这个技术。
